据韩国媒体报道，Samsung Electronics 预计当前的 DRAM 供需紧张周期可能持续到 2028 年左右才会结束。为了避免再次出现过去那种“产能扩张过快、价格暴跌”的行业循环，三星正在与 SK Hynix 采取更为谨慎的产能策略。
这种策略被业内称为 “战略性克制”：通过控制扩产节奏，维持市场供需相对紧张，从而稳定利润水平。
当前内存产业的一个关键变化，是产能正在向 HBM（高带宽内存）大幅倾斜。HBM 是 AI 服务器和高性能计算系统的重要组件，利润率明显高于传统 DRAM。因此，包括三星和 SK 海力士在内的厂商，正在优先把先进产线资源投入 HBM 生产。
这直接带来的结果是，传统 DRAM 的产能被压缩。
供应减少后，相关成本压力已经开始向消费电子领域传导。业内数据显示，在部分手机供应链中，内存相关物料成本最高已上涨 约 25%。
从行业角度看，当前的内存市场与过去几轮周期有明显不同。过去厂商通常会在需求上升时快速扩产，随后很快出现 产能过剩 → 价格暴跌 → 行业亏损的循环。而在 AI 时代，HBM 等高端产品成为新的利润来源，厂商更倾向于通过 控制供给结构来维持高利润水平。
如果三星的判断成立，未来几年内 DRAM 市场可能会保持 供给偏紧、价格较高的状态，而这一溢价也可能持续影响手机、PC 等消费电子产品的成本结构。